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NTQD6866R2
2500
2000
1500
1000
500
C iss
C rss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
C iss
C oss
C rss
T J = 25 ° C
5
4
3
2
1
Q 1
Q 2
Q T
V GS
I D = 5.8 A
T J = 25 ° C
0
10
5
V GS 0 V DS
5
10
15
20
0
0
2
4
6
8
10
12
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage
versus Total Charge
1000
100
V DD = 16 V
I D = 5.8 A
V GS = 4.5 V
t f
t r
10
8
6
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(off)
4
10
t d(on)
2
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
10
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
di/dt
1
10 ms
I S
t a
t rr
t b
0.1
0.01
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1
10
dc
100
t p
I S
0.25 I S
TIME
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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